Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7811AVPBF
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7811AVPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1801pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45453 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7811AVPBF
IRF7811AVPBF Elektronické komponenty
IRF7811AVPBF Odbyt
IRF7811AVPBF Dodavatel
IRF7811AVPBF Distributor
IRF7811AVPBF Datová tabulka
IRF7811AVPBF Fotky
IRF7811AVPBF Cena
IRF7811AVPBF Nabídka
IRF7811AVPBF Nejnižší cena
IRF7811AVPBF Vyhledávání
IRF7811AVPBF Nákup
IRF7811AVPBF Chip