Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6604TR1
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6604TR1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MQ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MQ
Ztráta energie (max.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 49A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.5 mOhm @ 12A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2270pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40924 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6604TR1
IRF6604TR1 Elektronické komponenty
IRF6604TR1 Odbyt
IRF6604TR1 Dodavatel
IRF6604TR1 Distributor
IRF6604TR1 Datová tabulka
IRF6604TR1 Fotky
IRF6604TR1 Cena
IRF6604TR1 Nabídka
IRF6604TR1 Nejnižší cena
IRF6604TR1 Vyhledávání
IRF6604TR1 Nákup
IRF6604TR1 Chip