Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF4104LPBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
Číslo dílu
IRF4104LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18153 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF4104LPBF
IRF4104LPBF Elektronické komponenty
IRF4104LPBF Odbyt
IRF4104LPBF Dodavatel
IRF4104LPBF Distributor
IRF4104LPBF Datová tabulka
IRF4104LPBF Fotky
IRF4104LPBF Cena
IRF4104LPBF Nabídka
IRF4104LPBF Nejnižší cena
IRF4104LPBF Vyhledávání
IRF4104LPBF Nákup
IRF4104LPBF Chip