Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1310NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13798 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1310NPBF
IRF1310NPBF Elektronické komponenty
IRF1310NPBF Odbyt
IRF1310NPBF Dodavatel
IRF1310NPBF Distributor
IRF1310NPBF Datová tabulka
IRF1310NPBF Fotky
IRF1310NPBF Cena
IRF1310NPBF Nabídka
IRF1310NPBF Nejnižší cena
IRF1310NPBF Vyhledávání
IRF1310NPBF Nákup
IRF1310NPBF Chip