Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPZ40N04S58R4ATMA1
MOSFET N-CH 8TDSON
Číslo dílu
IPZ40N04S58R4ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-32
Ztráta energie (max.)
34W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
771pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24295 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPZ40N04S58R4ATMA1
IPZ40N04S58R4ATMA1 Elektronické komponenty
IPZ40N04S58R4ATMA1 Odbyt
IPZ40N04S58R4ATMA1 Dodavatel
IPZ40N04S58R4ATMA1 Distributor
IPZ40N04S58R4ATMA1 Datová tabulka
IPZ40N04S58R4ATMA1 Fotky
IPZ40N04S58R4ATMA1 Cena
IPZ40N04S58R4ATMA1 Nabídka
IPZ40N04S58R4ATMA1 Nejnižší cena
IPZ40N04S58R4ATMA1 Vyhledávání
IPZ40N04S58R4ATMA1 Nákup
IPZ40N04S58R4ATMA1 Chip