Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS80R1K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Číslo dílu
IPS80R1K4P7AKMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
32W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51502 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPS80R1K4P7AKMA1
IPS80R1K4P7AKMA1 Elektronické komponenty
IPS80R1K4P7AKMA1 Odbyt
IPS80R1K4P7AKMA1 Dodavatel
IPS80R1K4P7AKMA1 Distributor
IPS80R1K4P7AKMA1 Datová tabulka
IPS80R1K4P7AKMA1 Fotky
IPS80R1K4P7AKMA1 Cena
IPS80R1K4P7AKMA1 Nabídka
IPS80R1K4P7AKMA1 Nejnižší cena
IPS80R1K4P7AKMA1 Vyhledávání
IPS80R1K4P7AKMA1 Nákup
IPS80R1K4P7AKMA1 Chip