Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP111N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Číslo dílu
IPP111N15N3GXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12470 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP111N15N3GXKSA1
IPP111N15N3GXKSA1 Elektronické komponenty
IPP111N15N3GXKSA1 Odbyt
IPP111N15N3GXKSA1 Dodavatel
IPP111N15N3GXKSA1 Distributor
IPP111N15N3GXKSA1 Datová tabulka
IPP111N15N3GXKSA1 Fotky
IPP111N15N3GXKSA1 Cena
IPP111N15N3GXKSA1 Nabídka
IPP111N15N3GXKSA1 Nejnižší cena
IPP111N15N3GXKSA1 Vyhledávání
IPP111N15N3GXKSA1 Nákup
IPP111N15N3GXKSA1 Chip