Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPN65R1K5CEATMA1
CONSUMER
Číslo dílu
IPN65R1K5CEATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-223-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19441 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPN65R1K5CEATMA1
IPN65R1K5CEATMA1 Elektronické komponenty
IPN65R1K5CEATMA1 Odbyt
IPN65R1K5CEATMA1 Dodavatel
IPN65R1K5CEATMA1 Distributor
IPN65R1K5CEATMA1 Datová tabulka
IPN65R1K5CEATMA1 Fotky
IPN65R1K5CEATMA1 Cena
IPN65R1K5CEATMA1 Nabídka
IPN65R1K5CEATMA1 Nejnižší cena
IPN65R1K5CEATMA1 Vyhledávání
IPN65R1K5CEATMA1 Nákup
IPN65R1K5CEATMA1 Chip