IPN60R1K0CEATMA1
CONSUMER
Číslo dílu
IPN60R1K0CEATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-223-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38774 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1 Elektronické komponenty
IPN60R1K0CEATMA1 Odbyt
IPN60R1K0CEATMA1 Dodavatel
IPN60R1K0CEATMA1 Distributor
IPN60R1K0CEATMA1 Datová tabulka
IPN60R1K0CEATMA1 Fotky
IPN60R1K0CEATMA1 Cena
IPN60R1K0CEATMA1 Nabídka
IPN60R1K0CEATMA1 Nejnižší cena
IPN60R1K0CEATMA1 Vyhledávání
IPN60R1K0CEATMA1 Nákup
IPN60R1K0CEATMA1 Chip