Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI200N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Číslo dílu
IPI200N25N3GAKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36238 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI200N25N3GAKSA1
IPI200N25N3GAKSA1 Elektronické komponenty
IPI200N25N3GAKSA1 Odbyt
IPI200N25N3GAKSA1 Dodavatel
IPI200N25N3GAKSA1 Distributor
IPI200N25N3GAKSA1 Datová tabulka
IPI200N25N3GAKSA1 Fotky
IPI200N25N3GAKSA1 Cena
IPI200N25N3GAKSA1 Nabídka
IPI200N25N3GAKSA1 Nejnižší cena
IPI200N25N3GAKSA1 Vyhledávání
IPI200N25N3GAKSA1 Nákup
IPI200N25N3GAKSA1 Chip