Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI072N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Číslo dílu
IPI072N10N3GXK
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™ 3
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI072N10N3GXK
IPI072N10N3GXK Elektronické komponenty
IPI072N10N3GXK Odbyt
IPI072N10N3GXK Dodavatel
IPI072N10N3GXK Distributor
IPI072N10N3GXK Datová tabulka
IPI072N10N3GXK Fotky
IPI072N10N3GXK Cena
IPI072N10N3GXK Nabídka
IPI072N10N3GXK Nejnižší cena
IPI072N10N3GXK Vyhledávání
IPI072N10N3GXK Nákup
IPI072N10N3GXK Chip