Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Číslo dílu
IPI028N08N3GHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI028N08N3GHKSA1
IPI028N08N3GHKSA1 Elektronické komponenty
IPI028N08N3GHKSA1 Odbyt
IPI028N08N3GHKSA1 Dodavatel
IPI028N08N3GHKSA1 Distributor
IPI028N08N3GHKSA1 Datová tabulka
IPI028N08N3GHKSA1 Fotky
IPI028N08N3GHKSA1 Cena
IPI028N08N3GHKSA1 Nabídka
IPI028N08N3GHKSA1 Nejnižší cena
IPI028N08N3GHKSA1 Vyhledávání
IPI028N08N3GHKSA1 Nákup
IPI028N08N3GHKSA1 Chip