Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Číslo dílu
IPI037N06L3GHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 93µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33773 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI037N06L3GHKSA1
IPI037N06L3GHKSA1 Elektronické komponenty
IPI037N06L3GHKSA1 Odbyt
IPI037N06L3GHKSA1 Dodavatel
IPI037N06L3GHKSA1 Distributor
IPI037N06L3GHKSA1 Datová tabulka
IPI037N06L3GHKSA1 Fotky
IPI037N06L3GHKSA1 Cena
IPI037N06L3GHKSA1 Nabídka
IPI037N06L3GHKSA1 Nejnižší cena
IPI037N06L3GHKSA1 Vyhledávání
IPI037N06L3GHKSA1 Nákup
IPI037N06L3GHKSA1 Chip