IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Číslo dílu
IPDD60R102G7XTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ G7
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
10-PowerSOP Module
Dodavatelský balíček zařízení
PG-HDSOP-10-1
Ztráta energie (max.)
139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39518 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPDD60R102G7XTMA1
IPDD60R102G7XTMA1 Elektronické komponenty
IPDD60R102G7XTMA1 Odbyt
IPDD60R102G7XTMA1 Dodavatel
IPDD60R102G7XTMA1 Distributor
IPDD60R102G7XTMA1 Datová tabulka
IPDD60R102G7XTMA1 Fotky
IPDD60R102G7XTMA1 Cena
IPDD60R102G7XTMA1 Nabídka
IPDD60R102G7XTMA1 Nejnižší cena
IPDD60R102G7XTMA1 Vyhledávání
IPDD60R102G7XTMA1 Nákup
IPDD60R102G7XTMA1 Chip