Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPBH6N03LA

IPBH6N03LA

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Číslo dílu
IPBH6N03LA
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 30µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40354 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPBH6N03LA
IPBH6N03LA Elektronické komponenty
IPBH6N03LA Odbyt
IPBH6N03LA Dodavatel
IPBH6N03LA Distributor
IPBH6N03LA Datová tabulka
IPBH6N03LA Fotky
IPBH6N03LA Cena
IPBH6N03LA Nabídka
IPBH6N03LA Nejnižší cena
IPBH6N03LA Vyhledávání
IPBH6N03LA Nákup
IPBH6N03LA Chip