Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB50R199CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Číslo dílu
IPB50R199CPATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25576 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB50R199CPATMA1
IPB50R199CPATMA1 Elektronické komponenty
IPB50R199CPATMA1 Odbyt
IPB50R199CPATMA1 Dodavatel
IPB50R199CPATMA1 Distributor
IPB50R199CPATMA1 Datová tabulka
IPB50R199CPATMA1 Fotky
IPB50R199CPATMA1 Cena
IPB50R199CPATMA1 Nabídka
IPB50R199CPATMA1 Nejnižší cena
IPB50R199CPATMA1 Vyhledávání
IPB50R199CPATMA1 Nákup
IPB50R199CPATMA1 Chip