Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Číslo dílu
IPB50N10S3L16ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42694 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Elektronické komponenty
IPB50N10S3L16ATMA1 Odbyt
IPB50N10S3L16ATMA1 Dodavatel
IPB50N10S3L16ATMA1 Distributor
IPB50N10S3L16ATMA1 Datová tabulka
IPB50N10S3L16ATMA1 Fotky
IPB50N10S3L16ATMA1 Cena
IPB50N10S3L16ATMA1 Nabídka
IPB50N10S3L16ATMA1 Nejnižší cena
IPB50N10S3L16ATMA1 Vyhledávání
IPB50N10S3L16ATMA1 Nákup
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip