Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Číslo dílu
IPB47N10S33ATMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
175W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14655 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB47N10S33ATMA1
IPB47N10S33ATMA1 Elektronické komponenty
IPB47N10S33ATMA1 Odbyt
IPB47N10S33ATMA1 Dodavatel
IPB47N10S33ATMA1 Distributor
IPB47N10S33ATMA1 Datová tabulka
IPB47N10S33ATMA1 Fotky
IPB47N10S33ATMA1 Cena
IPB47N10S33ATMA1 Nabídka
IPB47N10S33ATMA1 Nejnižší cena
IPB47N10S33ATMA1 Vyhledávání
IPB47N10S33ATMA1 Nákup
IPB47N10S33ATMA1 Chip