Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB180N06S4H1ATMA2
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB180N06S4H1ATMA2
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42012 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB180N06S4H1ATMA2
IPB180N06S4H1ATMA2 Elektronické komponenty
IPB180N06S4H1ATMA2 Odbyt
IPB180N06S4H1ATMA2 Dodavatel
IPB180N06S4H1ATMA2 Distributor
IPB180N06S4H1ATMA2 Datová tabulka
IPB180N06S4H1ATMA2 Fotky
IPB180N06S4H1ATMA2 Cena
IPB180N06S4H1ATMA2 Nabídka
IPB180N06S4H1ATMA2 Nejnižší cena
IPB180N06S4H1ATMA2 Vyhledávání
IPB180N06S4H1ATMA2 Nákup
IPB180N06S4H1ATMA2 Chip