Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7492 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB025N10N3GE8187ATMA1
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Elektronické komponenty
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Odbyt
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Dodavatel
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Distributor
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Datová tabulka
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Fotky
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Cena
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Nabídka
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Nejnižší cena
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Vyhledávání
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Nákup
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Chip