Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Číslo dílu
IPAW60R190CEXKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220 Full Pack
Ztráta energie (max.)
34W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50915 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPAW60R190CEXKSA1
IPAW60R190CEXKSA1 Elektronické komponenty
IPAW60R190CEXKSA1 Odbyt
IPAW60R190CEXKSA1 Dodavatel
IPAW60R190CEXKSA1 Distributor
IPAW60R190CEXKSA1 Datová tabulka
IPAW60R190CEXKSA1 Fotky
IPAW60R190CEXKSA1 Cena
IPAW60R190CEXKSA1 Nabídka
IPAW60R190CEXKSA1 Nejnižší cena
IPAW60R190CEXKSA1 Vyhledávání
IPAW60R190CEXKSA1 Nákup
IPAW60R190CEXKSA1 Chip