Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPA80R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Číslo dílu
IPA80R650CEXKSA2
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
-
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3F
Ztráta energie (max.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23027 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPA80R650CEXKSA2
IPA80R650CEXKSA2 Elektronické komponenty
IPA80R650CEXKSA2 Odbyt
IPA80R650CEXKSA2 Dodavatel
IPA80R650CEXKSA2 Distributor
IPA80R650CEXKSA2 Datová tabulka
IPA80R650CEXKSA2 Fotky
IPA80R650CEXKSA2 Cena
IPA80R650CEXKSA2 Nabídka
IPA80R650CEXKSA2 Nejnižší cena
IPA80R650CEXKSA2 Vyhledávání
IPA80R650CEXKSA2 Nákup
IPA80R650CEXKSA2 Chip