Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Číslo dílu
IPA80R1K4P7XKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3F
Ztráta energie (max.)
24W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20165 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPA80R1K4P7XKSA1
IPA80R1K4P7XKSA1 Elektronické komponenty
IPA80R1K4P7XKSA1 Odbyt
IPA80R1K4P7XKSA1 Dodavatel
IPA80R1K4P7XKSA1 Distributor
IPA80R1K4P7XKSA1 Datová tabulka
IPA80R1K4P7XKSA1 Fotky
IPA80R1K4P7XKSA1 Cena
IPA80R1K4P7XKSA1 Nabídka
IPA80R1K4P7XKSA1 Nejnižší cena
IPA80R1K4P7XKSA1 Vyhledávání
IPA80R1K4P7XKSA1 Nákup
IPA80R1K4P7XKSA1 Chip