Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPA80R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Číslo dílu
IPA80R650CEXKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220 Full Pack
Ztráta energie (max.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27147 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPA80R650CEXKSA1
IPA80R650CEXKSA1 Elektronické komponenty
IPA80R650CEXKSA1 Odbyt
IPA80R650CEXKSA1 Dodavatel
IPA80R650CEXKSA1 Distributor
IPA80R650CEXKSA1 Datová tabulka
IPA80R650CEXKSA1 Fotky
IPA80R650CEXKSA1 Cena
IPA80R650CEXKSA1 Nabídka
IPA80R650CEXKSA1 Nejnižší cena
IPA80R650CEXKSA1 Vyhledávání
IPA80R650CEXKSA1 Nákup
IPA80R650CEXKSA1 Chip