Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPA030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Číslo dílu
IPA030N10N3GXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-FP
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 79A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20952 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPA030N10N3GXKSA1
IPA030N10N3GXKSA1 Elektronické komponenty
IPA030N10N3GXKSA1 Odbyt
IPA030N10N3GXKSA1 Dodavatel
IPA030N10N3GXKSA1 Distributor
IPA030N10N3GXKSA1 Datová tabulka
IPA030N10N3GXKSA1 Fotky
IPA030N10N3GXKSA1 Cena
IPA030N10N3GXKSA1 Nabídka
IPA030N10N3GXKSA1 Nejnižší cena
IPA030N10N3GXKSA1 Vyhledávání
IPA030N10N3GXKSA1 Nákup
IPA030N10N3GXKSA1 Chip