BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Číslo dílu
BSC252N10NSFGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.2A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 43µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50795 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC252N10NSFGATMA1
BSC252N10NSFGATMA1 Elektronické komponenty
BSC252N10NSFGATMA1 Odbyt
BSC252N10NSFGATMA1 Dodavatel
BSC252N10NSFGATMA1 Distributor
BSC252N10NSFGATMA1 Datová tabulka
BSC252N10NSFGATMA1 Fotky
BSC252N10NSFGATMA1 Cena
BSC252N10NSFGATMA1 Nabídka
BSC252N10NSFGATMA1 Nejnižší cena
BSC252N10NSFGATMA1 Vyhledávání
BSC252N10NSFGATMA1 Nákup
BSC252N10NSFGATMA1 Chip