BSC200P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
Číslo dílu
BSC200P03LSGAUMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2430pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45760 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC200P03LSGAUMA1
BSC200P03LSGAUMA1 Elektronické komponenty
BSC200P03LSGAUMA1 Odbyt
BSC200P03LSGAUMA1 Dodavatel
BSC200P03LSGAUMA1 Distributor
BSC200P03LSGAUMA1 Datová tabulka
BSC200P03LSGAUMA1 Fotky
BSC200P03LSGAUMA1 Cena
BSC200P03LSGAUMA1 Nabídka
BSC200P03LSGAUMA1 Nejnižší cena
BSC200P03LSGAUMA1 Vyhledávání
BSC200P03LSGAUMA1 Nákup
BSC200P03LSGAUMA1 Chip