BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Číslo dílu
BS7067N06LS3G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta), 20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48263 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BS7067N06LS3G
BS7067N06LS3G Elektronické komponenty
BS7067N06LS3G Odbyt
BS7067N06LS3G Dodavatel
BS7067N06LS3G Distributor
BS7067N06LS3G Datová tabulka
BS7067N06LS3G Fotky
BS7067N06LS3G Cena
BS7067N06LS3G Nabídka
BS7067N06LS3G Nejnižší cena
BS7067N06LS3G Vyhledávání
BS7067N06LS3G Nákup
BS7067N06LS3G Chip