Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A
Číslo dílu
GA50JT06-258
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Provozní teplota
-55°C ~ 225°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-258-3, TO-258AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-258
Ztráta energie (max.)
769W (Tc)
Typ FET
-
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45829 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GA50JT06-258
GA50JT06-258 Elektronické komponenty
GA50JT06-258 Odbyt
GA50JT06-258 Dodavatel
GA50JT06-258 Distributor
GA50JT06-258 Datová tabulka
GA50JT06-258 Fotky
GA50JT06-258 Cena
GA50JT06-258 Nabídka
GA50JT06-258 Nejnižší cena
GA50JT06-258 Vyhledávání
GA50JT06-258 Nákup
GA50JT06-258 Chip