Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMT8012LFG-13
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Číslo dílu
DMT8012LFG-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerDI3333-8
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1949pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46845 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT8012LFG-13
DMT8012LFG-13 Elektronické komponenty
DMT8012LFG-13 Odbyt
DMT8012LFG-13 Dodavatel
DMT8012LFG-13 Distributor
DMT8012LFG-13 Datová tabulka
DMT8012LFG-13 Fotky
DMT8012LFG-13 Cena
DMT8012LFG-13 Nabídka
DMT8012LFG-13 Nejnižší cena
DMT8012LFG-13 Vyhledávání
DMT8012LFG-13 Nákup
DMT8012LFG-13 Chip