DMT5015LFDF-7
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Číslo dílu
DMT5015LFDF-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-UDFN2020 (2x2)
Ztráta energie (max.)
820mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
902.7pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15987 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT5015LFDF-7
DMT5015LFDF-7 Elektronické komponenty
DMT5015LFDF-7 Odbyt
DMT5015LFDF-7 Dodavatel
DMT5015LFDF-7 Distributor
DMT5015LFDF-7 Datová tabulka
DMT5015LFDF-7 Fotky
DMT5015LFDF-7 Cena
DMT5015LFDF-7 Nabídka
DMT5015LFDF-7 Nejnižší cena
DMT5015LFDF-7 Vyhledávání
DMT5015LFDF-7 Nákup
DMT5015LFDF-7 Chip