DMJ7N70SK3-13
MOSFET N-CH 700V 3.9A
Číslo dílu
DMJ7N70SK3-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
351pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23517 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMJ7N70SK3-13
DMJ7N70SK3-13 Elektronické komponenty
DMJ7N70SK3-13 Odbyt
DMJ7N70SK3-13 Dodavatel
DMJ7N70SK3-13 Distributor
DMJ7N70SK3-13 Datová tabulka
DMJ7N70SK3-13 Fotky
DMJ7N70SK3-13 Cena
DMJ7N70SK3-13 Nabídka
DMJ7N70SK3-13 Nejnižší cena
DMJ7N70SK3-13 Vyhledávání
DMJ7N70SK3-13 Nákup
DMJ7N70SK3-13 Chip