Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMJ70H1D3SH3
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Číslo dílu
DMJ70H1D3SH3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
351pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23009 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMJ70H1D3SH3
DMJ70H1D3SH3 Elektronické komponenty
DMJ70H1D3SH3 Odbyt
DMJ70H1D3SH3 Dodavatel
DMJ70H1D3SH3 Distributor
DMJ70H1D3SH3 Datová tabulka
DMJ70H1D3SH3 Fotky
DMJ70H1D3SH3 Cena
DMJ70H1D3SH3 Nabídka
DMJ70H1D3SH3 Nejnižší cena
DMJ70H1D3SH3 Vyhledávání
DMJ70H1D3SH3 Nákup
DMJ70H1D3SH3 Chip