Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
E3M0065090D
E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
Číslo dílu
E3M0065090D
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, E
Stav sekce
Active
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30.4nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
VGS (max.)
+18V, -8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49978 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova E3M0065090D
E3M0065090D Elektronické komponenty
E3M0065090D Odbyt
E3M0065090D Dodavatel
E3M0065090D Distributor
E3M0065090D Datová tabulka
E3M0065090D Fotky
E3M0065090D Cena
E3M0065090D Nabídka
E3M0065090D Nejnižší cena
E3M0065090D Vyhledávání
E3M0065090D Nákup
E3M0065090D Chip