Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CDBJSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Číslo dílu
CDBJSC101200-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-2
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-2
Typ diody
Silicon Carbide Schottky
Aktuální – Opravený průměr (Io)
10A (DC)
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Proud - Reverzní únik @ Vr
100µA @ 1200V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
1200V
Rychlost
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
0ns
Provozní teplota - křižovatka
-55°C ~ 175°C
Kapacita @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42090 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CDBJSC101200-G
CDBJSC101200-G Elektronické komponenty
CDBJSC101200-G Odbyt
CDBJSC101200-G Dodavatel
CDBJSC101200-G Distributor
CDBJSC101200-G Datová tabulka
CDBJSC101200-G Fotky
CDBJSC101200-G Cena
CDBJSC101200-G Nabídka
CDBJSC101200-G Nejnižší cena
CDBJSC101200-G Vyhledávání
CDBJSC101200-G Nákup
CDBJSC101200-G Chip