Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOW4S60

AOW4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO262
Číslo dílu
AOW4S60
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
263pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9756 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AOW4S60
AOW4S60 Elektronické komponenty
AOW4S60 Odbyt
AOW4S60 Dodavatel
AOW4S60 Distributor
AOW4S60 Datová tabulka
AOW4S60 Fotky
AOW4S60 Cena
AOW4S60 Nabídka
AOW4S60 Nejnižší cena
AOW4S60 Vyhledávání
AOW4S60 Nákup
AOW4S60 Chip