onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
UMC3NT1G 1 NPN-pre-biased, 1 PNP-pre-biased 100mA 50V complementary bipolar digital transistor (BRT)

UMC3NT1G

1 NPN-pre-biased, 1 PNP-pre-biased 100mA 50V complementary bipolar digital transistor (BRT)
Číslo dílu
UMC3NT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-353
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Dual PNP bipolar digital transistors consist of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors: a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. Dual PNP bipolar digital transistors integrate these components into a single device, eliminating the need for these external components. In the UMC2NT1 series, both devices feature SOT-353 encapsulation, ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 91545 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova UMC3NT1G
UMC3NT1G Elektronické komponenty
UMC3NT1G Odbyt
UMC3NT1G Dodavatel
UMC3NT1G Distributor
UMC3NT1G Datová tabulka
UMC3NT1G Fotky
UMC3NT1G Cena
UMC3NT1G Nabídka
UMC3NT1G Nejnižší cena
UMC3NT1G Vyhledávání
UMC3NT1G Nákup
UMC3NT1G Chip