VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Si3585CDV-T1-GE3-VB 1 N-channel and 1 P-channel 20V 5.5A 3.4A

Si3585CDV-T1-GE3-VB

1 N-channel and 1 P-channel 20V 5.5A 3.4A
Číslo dílu
Si3585CDV-T1-GE3-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TSOP-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 89030 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova Si3585CDV-T1-GE3-VB
Si3585CDV-T1-GE3-VB Elektronické komponenty
Si3585CDV-T1-GE3-VB Odbyt
Si3585CDV-T1-GE3-VB Dodavatel
Si3585CDV-T1-GE3-VB Distributor
Si3585CDV-T1-GE3-VB Datová tabulka
Si3585CDV-T1-GE3-VB Fotky
Si3585CDV-T1-GE3-VB Cena
Si3585CDV-T1-GE3-VB Nabídka
Si3585CDV-T1-GE3-VB Nejnižší cena
Si3585CDV-T1-GE3-VB Vyhledávání
Si3585CDV-T1-GE3-VB Nákup
Si3585CDV-T1-GE3-VB Chip