onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055LESM9A N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ

RFD3055LESM9A

N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ
Číslo dílu
RFD3055LESM9A
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DPAK-3
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
These N-channel enhancement mode power MOSFETs are produced using the latest manufacturing processes. This process uses a feature size close to that of an LSI circuit, enabling optimal utilization of silicon, resulting in excellent performance. These devices are suitable for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. Such transistors can be run directly in integrated circuits. The previous development model was TA49158.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74885 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Elektronické komponenty
RFD3055LESM9A Odbyt
RFD3055LESM9A Dodavatel
RFD3055LESM9A Distributor
RFD3055LESM9A Datová tabulka
RFD3055LESM9A Fotky
RFD3055LESM9A Cena
RFD3055LESM9A Nabídka
RFD3055LESM9A Nejnižší cena
RFD3055LESM9A Vyhledávání
RFD3055LESM9A Nákup
RFD3055LESM9A Chip