VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD12N06RLESM-VB RFD12N06RLESM-VB

RFD12N06RLESM-VB

RFD12N06RLESM-VB
Číslo dílu
RFD12N06RLESM-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
N-channel, 60V, 35A, 25mΩ@10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50879 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD12N06RLESM-VB
RFD12N06RLESM-VB Elektronické komponenty
RFD12N06RLESM-VB Odbyt
RFD12N06RLESM-VB Dodavatel
RFD12N06RLESM-VB Distributor
RFD12N06RLESM-VB Datová tabulka
RFD12N06RLESM-VB Fotky
RFD12N06RLESM-VB Cena
RFD12N06RLESM-VB Nabídka
RFD12N06RLESM-VB Nejnižší cena
RFD12N06RLESM-VB Vyhledávání
RFD12N06RLESM-VB Nákup
RFD12N06RLESM-VB Chip