PJSEMI (flat crystal micro)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PJM01N20KDC PJM01N20KDC

PJM01N20KDC

PJM01N20KDC
Číslo dílu
PJM01N20KDC
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
PJSEMI (flat crystal micro)
Encapsulation
DFN-3L(1x0.6)
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
MOS@@continuous drain current (Id) (at 25°C): -0.8A, drain-source voltage (Vdss): -20V, gate-source threshold voltage: 0.75V(Typ.)@ 250uA, drain-source conduction Resistance: 180mΩ(Typ.) @Vgs=4.5V, 260mΩ(typ.) @Vgs=2.5V ,Maximum Power Dissipation (Ta=25°C): 0.35W, Type: 0.8A/20V Nch
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 90151 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova PJM01N20KDC
PJM01N20KDC Elektronické komponenty
PJM01N20KDC Odbyt
PJM01N20KDC Dodavatel
PJM01N20KDC Distributor
PJM01N20KDC Datová tabulka
PJM01N20KDC Fotky
PJM01N20KDC Cena
PJM01N20KDC Nabídka
PJM01N20KDC Nejnižší cena
PJM01N20KDC Vyhledávání
PJM01N20KDC Nákup
PJM01N20KDC Chip