onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NXH35C120L2C2S1G
IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT
Číslo dílu
NXH35C120L2C2S1G
Kategorie
Power IC > Power Module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DIP-52
Balení
Tube
Počet balíků
6
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 69112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NXH35C120L2C2S1G
NXH35C120L2C2S1G Elektronické komponenty
NXH35C120L2C2S1G Odbyt
NXH35C120L2C2S1G Dodavatel
NXH35C120L2C2S1G Distributor
NXH35C120L2C2S1G Datová tabulka
NXH35C120L2C2S1G Fotky
NXH35C120L2C2S1G Cena
NXH35C120L2C2S1G Nabídka
NXH35C120L2C2S1G Nejnižší cena
NXH35C120L2C2S1G Vyhledávání
NXH35C120L2C2S1G Nákup
NXH35C120L2C2S1G Chip