onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVJD5121NT1G Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω

NVJD5121NT1G

Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
Číslo dílu
NVJD5121NT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-88
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Automotive power MOSFETs for low power applications. 60V 295mA 1.6 Ω dual N-channel SC?88, ESD protected, logic level. AEC-Q101-qualified MOSFETs that meet the Production Part Approval Process (PPAP) for automotive applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84117 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G Elektronické komponenty
NVJD5121NT1G Odbyt
NVJD5121NT1G Dodavatel
NVJD5121NT1G Distributor
NVJD5121NT1G Datová tabulka
NVJD5121NT1G Fotky
NVJD5121NT1G Cena
NVJD5121NT1G Nabídka
NVJD5121NT1G Nejnižší cena
NVJD5121NT1G Vyhledávání
NVJD5121NT1G Nákup
NVJD5121NT1G Chip