onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVBGS1D2N08H
N-channel 80V 43A 290A
Číslo dílu
NVBGS1D2N08H
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
D2PAK-7
Balení
taping
Počet balíků
800
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64582 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 900V 9.8A 112A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 900V, 20 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 1.2kV 8.6A 98A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 20 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 1.2kV 60A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 900V 5.8A 44A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 900 V, 60 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 1.2kV 30A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 80 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 1.2kV 19.5A Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, D2PAK?7L
onsemi (Ansemi)
N-Channel 150V 185A 20A MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mΩ, 185 A
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NVBGS1D2N08H
NVBGS1D2N08H Elektronické komponenty
NVBGS1D2N08H Odbyt
NVBGS1D2N08H Dodavatel
NVBGS1D2N08H Distributor
NVBGS1D2N08H Datová tabulka
NVBGS1D2N08H Fotky
NVBGS1D2N08H Cena
NVBGS1D2N08H Nabídka
NVBGS1D2N08H Nejnižší cena
NVBGS1D2N08H Vyhledávání
NVBGS1D2N08H Nákup
NVBGS1D2N08H Chip