VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTZD3155CT2G-VB
1 N channel and 1 P channel 20V 550mA
Číslo dílu
NTZD3155CT2G-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SC-75-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 56466 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 P-Channel 20V 430mA Dual P-Channel Small Signal MOSFETs with ESD Protection -20V, -430mA, 900mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 540mA Dual N-Channel, Small Signal MOSFET, 20V, 540mA, 550mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 540mA Dual N-Channel, Small Signal MOSFET, 20V, 540mA, 550mΩ
onsemi (Ansemi)
1 N-channel and 1 P-channel 20V Complementary Small Signal MOSFET with ESD protection 20V
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTZD3155CT2G-VB
NTZD3155CT2G-VB Elektronické komponenty
NTZD3155CT2G-VB Odbyt
NTZD3155CT2G-VB Dodavatel
NTZD3155CT2G-VB Distributor
NTZD3155CT2G-VB Datová tabulka
NTZD3155CT2G-VB Fotky
NTZD3155CT2G-VB Cena
NTZD3155CT2G-VB Nabídka
NTZD3155CT2G-VB Nejnižší cena
NTZD3155CT2G-VB Vyhledávání
NTZD3155CT2G-VB Nákup
NTZD3155CT2G-VB Chip