MSKSEMI (Mesenco)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTR4101PT1G-MS
P channel -3.2A -20V
Číslo dílu
NTR4101PT1G-MS
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -20V Continuous Drain Current (Id): -3.2A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@-4.5 V,-3A Threshold voltage Vgs(th)@Id): -0.3V to -1.2V@250uA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64547 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.2A Single P-Channel, Trench, Power MOSFET, -20V, -3.2A, 85mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTR4101PT1G-MS
NTR4101PT1G-MS Elektronické komponenty
NTR4101PT1G-MS Odbyt
NTR4101PT1G-MS Dodavatel
NTR4101PT1G-MS Distributor
NTR4101PT1G-MS Datová tabulka
NTR4101PT1G-MS Fotky
NTR4101PT1G-MS Cena
NTR4101PT1G-MS Nabídka
NTR4101PT1G-MS Nejnižší cena
NTR4101PT1G-MS Vyhledávání
NTR4101PT1G-MS Nákup
NTR4101PT1G-MS Chip