VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTR1P02T1G-VB
NTR1P02T1G-VB
Číslo dílu
NTR1P02T1G-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
P-channel, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51621 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTR1P02T1G-VB
NTR1P02T1G-VB Elektronické komponenty
NTR1P02T1G-VB Odbyt
NTR1P02T1G-VB Dodavatel
NTR1P02T1G-VB Distributor
NTR1P02T1G-VB Datová tabulka
NTR1P02T1G-VB Fotky
NTR1P02T1G-VB Cena
NTR1P02T1G-VB Nabídka
NTR1P02T1G-VB Nejnižší cena
NTR1P02T1G-VB Vyhledávání
NTR1P02T1G-VB Nákup
NTR1P02T1G-VB Chip