VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS4177PR2G-VB
NTMS4177PR2G-VB
Číslo dílu
NTMS4177PR2G-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOP8
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
P-channel, -30V, -11A, RDS(ON), 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); -1.42Vth(V); SOP8
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 99613 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 20V 8.8A Single P-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET, -20V, -10A, 14mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 30V 6.6A Power MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ Single P-Channel SO-8
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.95A Single P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTMS4177PR2G-VB
NTMS4177PR2G-VB Elektronické komponenty
NTMS4177PR2G-VB Odbyt
NTMS4177PR2G-VB Dodavatel
NTMS4177PR2G-VB Distributor
NTMS4177PR2G-VB Datová tabulka
NTMS4177PR2G-VB Fotky
NTMS4177PR2G-VB Cena
NTMS4177PR2G-VB Nabídka
NTMS4177PR2G-VB Nejnižší cena
NTMS4177PR2G-VB Vyhledávání
NTMS4177PR2G-VB Nákup
NTMS4177PR2G-VB Chip