onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJD3115PT1G
Dual P-Channel Power MOSFET -20V -4.1A 100mΩ
Číslo dílu
NTLJD3115PT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DFN-6-EP(2x2)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Power MOSFET -20 V, -4.1 A, ?Cool Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN encapsulation
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50291 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 20V 2.3A Single P-Channel ?Cool Power MOSFET with Schottky Diode -20V -4.1A 100mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 2.5A Single N-Channel Power MOSFET and Schottky Diode 30V 4.6A 70mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 12V 3.5A Single P-Channel, ?Cool Power MOSFET, -12V, -7.7A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 3.6A Single N-Channel, ?Cool Power MOSFET, 30V, 7.8A, 35mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G Elektronické komponenty
NTLJD3115PT1G Odbyt
NTLJD3115PT1G Dodavatel
NTLJD3115PT1G Distributor
NTLJD3115PT1G Datová tabulka
NTLJD3115PT1G Fotky
NTLJD3115PT1G Cena
NTLJD3115PT1G Nabídka
NTLJD3115PT1G Nejnižší cena
NTLJD3115PT1G Vyhledávání
NTLJD3115PT1G Nákup
NTLJD3115PT1G Chip