Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTBS2D7N06M7
N-Channel 60V 110A Power MOSFET, N-Channel, Standard Gate, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
Číslo dílu
NTBS2D7N06M7
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-263-3
Balení
taping
Počet balíků
800
Popis
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced Power Trench process which incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.