onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTBS2D7N06M7 N-Channel 60V 110A Power MOSFET, N-Channel, Standard Gate, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ

NTBS2D7N06M7

N-Channel 60V 110A Power MOSFET, N-Channel, Standard Gate, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
Číslo dílu
NTBS2D7N06M7
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-263-3
Balení
taping
Počet balíků
800
Popis
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced Power Trench process which incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 95346 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7 Elektronické komponenty
NTBS2D7N06M7 Odbyt
NTBS2D7N06M7 Dodavatel
NTBS2D7N06M7 Distributor
NTBS2D7N06M7 Datová tabulka
NTBS2D7N06M7 Fotky
NTBS2D7N06M7 Cena
NTBS2D7N06M7 Nabídka
NTBS2D7N06M7 Nejnižší cena
NTBS2D7N06M7 Vyhledávání
NTBS2D7N06M7 Nákup
NTBS2D7N06M7 Chip